特許
J-GLOBAL ID：201103099389958107

トランジスタ

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
河江 大輔

河江 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-255558
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129898
出願日： 2010年11月16日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供する。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される縦型トランジスタであり、酸化物半導体の厚さが1μm以上、好ましくは3μmより大、より好ましくは10μm以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成される第1の電極と、 前記第1の電極に接して形成され、水素濃度が低減された3μmより厚い膜厚の酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜に接して形成される第2の電極と、 前記第1の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記酸化物半導体膜の側面と対向する第3の電極とを有することを特徴とするトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12
FI (8件)：
H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 653D ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652S
Fターム (81件)：
5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110BB03 ,  5F110BB12 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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