半導体光素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松元洋 , 光石俊郎 , 田中康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249831
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060310
特許番号：特許第3654435号
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に、少なくとも第1の導電型のクラッド層、活性層或いは光吸収層からなる活性領域、第2の導電性を有するクラッド層からなる積層体がメサストライプ状に加工されており、該積層体の両側を半絶縁性半導体結晶で埋め込まれた埋め込み型半導体光素子において、該半絶縁性半導体結晶は、該第2導電型不純物の拡散を促進する半絶縁不純物を含む層、該第2導電型不純物の拡散を抑制する半絶縁不純物を含む層の順に配されていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (2件)：