特許
J-GLOBAL ID：200903005144475400

光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置

発明者：
鈴木 大輔

鈴木 大輔 について

, 
木村 達也

木村 達也 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022579
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 変調器付レーザにおいて光導波路のp型クラッド層のドーパントをZnより拡散係数の小さな元素に変更すると共にこの光導波路の両側面に設けた高抵抗埋込層にこのp型ドーパントが拡散し難いように構成することにより、高効率で応答性の高い変調器付レーザを提供する。【解決手段】 変調器付レーザの光導波路構造を、n-InPからなる下クラッド層60と多重量子井戸層61と回折格子64を埋込んだBeドープまたはMgドープInPからなる上クラッド層63とを有する光導波路67及びこの光導波路67の両側面の表面上に設けたアンドープAlInAsの高抵抗埋込層66を含むように構成した。
請求項（抜粋）：
n型の化合物半導体からなる第1のクラッド層、多重量子井戸層及びBeドープまたはMgドープの化合物半導体からなる第2のクラッド層がリッジ状に順次積層された光導波路と、この光導波路の両側面の表面上に配設されたアンドープ高抵抗埋込層と、を備えた光導波路構造。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15 C
引用特許：
審査官引用 (8件)
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