特許
J-GLOBAL ID：201103099927090066
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-127967
公開番号（公開出願番号）：特開2011-253998
出願日： 2010年06月03日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：
【課題】色ばらつきを抑えた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、発光チップと蛍光体層とを備える。前記発光チップは、半導体層と、第1の電極と、第2の電極と、絶縁層と、第1の配線層と、第2の配線層と、第1の金属ピラーと、第2の金属ピラーと、樹脂層と、を有する。前記半導体層は、第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む。前記蛍光体層は、前記第1の主面上に設けられ、前記発光チップの平面サイズよりも大きい平面サイズを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第1の電極に達して形成された第1の開口内に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第2の電極に達して形成された第2の開口内に設けられて前記第2の電極と接続され、前記第2の電極と接続する面よりも前記第2の電極に対する反対側の面において面積が大である第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の前記面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられた樹脂層と、
を有する発光チップと、
前記第1の主面上に設けられ、前記発光チップの平面サイズよりも大きい平面サイズを有する蛍光体層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA76
, 5F041CA84
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041EE25
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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