窒素仲介結晶化経由で作製した緩衝層つきのZnO:Al薄膜: N<sub>2</sub>/Arのガス流比の影響

SUHARIADI Iping; ITAGAKI Naho; ITAGAKI Naho; KUWAHARA Kazunari; OSHIKAWA Koichi; YAMASHITA Daisuke; UCHIDA Giichiro; KAMATAKI Kunihiro; KOGA Kazunori; NAKAHARA Kenta; SHIRATANI Masaharu

文献

J-GLOBAL ID：201202205920945013 整理番号：12A1015074

窒素仲介結晶化経由で作製した緩衝層つきのZnO:Al薄膜: N₂/Arのガス流比の影響

ZnO:Al Thin Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization: Effects of N₂/Ar Gas Flow Rate Ratio

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著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 37 号： 2 ページ： 165-168 発行年： 2012年06月
JST資料番号： L4468A ISSN： 1382-3469 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

著者は最近「窒素原子仲介結晶化(NMC)」と称する,スパッターによるZnO膜の新しい製作方法を開発した。この方法を利用すると,通常のスパッタリングと比較して,核の密度が減少するため,ZnOの膜の結晶方位の配列がよくなり,結晶化度が向上する。この報告では,NMC緩衝層のスパッター析出の際のN₂/Arのガス流量比がZnO膜の結晶化度に及ぼす影響を検討した。また,緩衝層としてのNMCによるZnO膜がZnO:Al(AZO)薄膜の結晶化度,電気的特性,光学的特性に及ぼす影響も検討した。少量のN₂を導入すると(N₂/Ar=4/20.5sccm),結晶の方位が改善され,粒径が大きくなった。しかし,N₂をさらに増量すると結晶化度は低下した。また,N₂/Ar=4/20.5sccmで析出したNMC-ZnO膜を緩衝層に利用するとAZO薄膜の結晶化度が高くなり,電気的特性や光学的特性も変化した。

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酸化物薄膜 , 半導体結晶の電気伝導 , 光物性一般

引用文献 (8件)：

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窒素仲介結晶化経由で作製した緩衝層つきのZnO:Al薄膜: N2/Arのガス流比の影響

窒素仲介結晶化経由で作製した緩衝層つきのZnO:Al薄膜: N₂/Arのガス流比の影響