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J-GLOBAL ID：201202211695758110   整理番号：12A0256692

単一エネルギーの陽電子ビームにより調べたSiドープAlGaN中の固有カチオン空孔

Native cation vacancies in Si-doped AlGaN studied by monoenergetic positron beams

著者 (9件)： UEDONO A. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  TENJINBAYASHI K. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  TSUTSUI T. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  SHIMAHARA Y. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  MIYAKE H. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  HIRAMATSU K. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  OSHIMA N. (Res. Inst. of Instrumentation Frontier, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba ...) ,  SUZUKI R. (Res. Inst. of Instrumentation Frontier, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba ...) ,  ISHIBASHI S. (Nanosystem Res. Inst. (NRI) “RICS”, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 013512  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーにより成長したSiドープAlGaN中の固有欠陥を単一エネルギーの陽電子ビームにより調べた。消滅放射のDoppler広がりスペクトルと陽電子寿命を測定し,第一原理計算で得られた結果と比較した。SiドープAl_xGa_1-xN(4×10¹⁷Si/cm³)では,空孔型欠陥はx=0.54以上で導入された。これは成長モードがFrank-van der Merwe機構からStranski-Krastanov機構に換わることに起因する。SiドープAl_0.6Ga_0.4Nでは空孔密度はSi濃度とともに増大した。主要な欠陥種はAl空孔であった。カソードルミネセンス強度の低下と欠陥密度の間に明瞭な相関が認められた。これはAlGaN中ではカチオン空孔が非放射中心として働くことを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  ヘテロエピタクシー ,  MOCVD ,  *陽電子消滅 ,  *空格子点 ,  陰極線ルミネセンス ,  Stranski-Krastanov成長 ,  欠陥密度 ,  カチオン
準シソーラス用語： 組成依存性 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： エネルギー ,  陽電子ビーム ,  Si ,  ドープ ,  AlGaN ,  固有 ,  カチオン ,  空孔