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J-GLOBAL ID：201202212490646358   整理番号：12A1714814

微小角入射X線回折法を用いたSiO₂薄膜中の結晶相の評価

Evaluation of crystalline phase in SiO₂ thin film using Grazing incidence X-ray diffraction

著者 (10件)： 永田晃基 (明治大 理工) ,  永田晃基 (日本学術振興会) ,  山口拓也 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小金澤智之 (高輝度光科学セ) ,  廣澤一郎 (高輝度光科学セ) ,  諏訪智之 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  寺本章伸 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  服部健雄 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  大見忠弘 (東北大 未来科学技術共同研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 263(SDM2012 89-97)  ページ： 11-14  発行年： 2012年10月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiO₂薄膜の構造については,かねてより多角的な研究によりSiO₂薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留していることが指摘されているが,詳細な構造については明らかになっていない。そこで,我々は10keVの高輝度放射光を光源とした微小角入射X線回折法(GIXD)によりSiO₂薄膜中の結晶様構造の評価を行った。その結果,回折パターンに鋭いピークが現れることを見出した。これは,SiO₂薄膜中に配向した結晶様構造が存在することを示唆している。熱酸化法における回折パターンはクリストバライト結晶のものとほぼ同様の傾向を示している一方で,ラジカル酸化では明らかに熱酸化とは異なる回折プロファイルが得られ,SiO₂薄膜中の結晶構造が主として酸化種の違いに依存していることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *X線回折 ,  結晶構造 ,  シンクロトロン放射 ,  熱酸化 ,  酸化膜 ,  強度 ,  固相
準シソーラス用語： ケイ素酸化膜 ,  シンクロトロン放射光 ,  散乱強度 ,  *微小角入射X線回折 ,  結晶相 ,  結晶様構造

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  X線回折法  (BK01020I)

引用文献 (14件)：

• Shiraishi, K. Jpn. J.Appl. Phys. 2000, 39, 2, 1263
• 楠?真司. 表面科学,. 2002, 23, 2, 104
• 高桑雄二. 表面科学. 2002, 23, 9, 536
• Teramoto, A. ECS Trans. 2011, 4 1, 7, 147
• Kaneta, C. Microelectron. Eng. 1999, 48, 117

タイトルに関連する用語 (5件)： 微小角入射X線回折 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  結晶相 ,  評価