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J-GLOBAL ID：201202234961009160   整理番号：12A1447073

選択的に成長したn⁺-サイドゲートを有するダイヤモンドの接合型電界効果トランジスタ

Diamond Junction Field-Effect Transistors with Selectively Grown n⁺-Side Gates

著者 (22件)： IWASAKI Takayuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  IWASAKI Takayuki (JST, Tokyo, JPN) ,  IWASAKI Takayuki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HOSHINO Yuto (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSUZUKI Kohei (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KATO Hiromitsu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KATO Hiromitsu (AIST, Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OGURA Masahiko (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OGURA Masahiko (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (AIST, Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO Tsubasa (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Tsubasa (AIST, Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  HATANO Mutsuko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HATANO Mutsuko (JST, Tokyo, JPN) ,  HATANO Mutsuko (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 9  ページ： 091301.1-091301.3  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドの接合型電界効果トランジスタ(JFETs)を,リンドープしたn⁺型ダイヤモンドの選択的成長によって作製した。n⁺ダイヤモンドはホウ素でドーピングされたp型チャンネルの側壁に成長され,水平方向のpn接合はマイクロ波プラズマ化学気相成長法における最適条件で形成された。pチャネルの空乏層を制御することによってドレイン電流を旨く調整できることを確認し,デバイスはチャンネルを空乏化して閉じることによってオフ状態に切り変わった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *選択成長 ,  *ダイヤモンド ,  *接合形FET ,  リン ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  *PN接合 ,  空乏層 ,  *プラズマCVD
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマ ,  接合型電界効果トランジスタ ,  サイドゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 成長 ,  サイドゲート ,  ダイヤモンド ,  接合型電界効果トランジスタ