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J-GLOBAL ID：201202246475019772   整理番号：12A1636373

先端電子デバイスの量産を支える超精密研磨技術 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC,GaN表面の平滑化

著者 (3件)： 山内和人 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  有馬健太 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 78  号： 11  ページ： 947-951  発行年： 2012年11月05日 
JST資料番号： F0268C  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子デバイス用半導体結晶の表面加工に関連して,著者らは新しく化学エッチングに基準面を導入し,ダメージレスかつ高能率な平坦・平滑化を実現する触媒表面基準エッチング法(CARE)を考案した。本報ではこの概念および単結晶SiCや単結晶GaN基板の加工に適用した例について紹介し解説した。主な内容項目を次に示した。1)まえがき:機械研磨,化学研磨,CAREにおける平坦化過程の模式図,加工変質層,化学的機械的研磨(CMP)の特性など,2)触媒表面基準エッチング法の概念:「基準平面上でのみ化学的な加工を実現」することによる表面の平坦度および平滑度の向上と結晶学的なダメージの除去を同時にできる加工法,3)SiCの加工と加工後表面の観察:加工装置(CARE加工装置の例),加工表面(微分干渉顕微鏡により観察したCARE加工における平坦化過程,位相シフト干渉顕微鏡により観察したCARE加工面,4H-SiC(0001)CARE加工面のAFM像,c軸に対して8°オフカットされた4H-SiCのCARE加工面の断面TEM像),4)GaN表面の加工:CARE加工されたGaN(0001)の位相シフト干渉顕微鏡像とAFM像,GaN(0001)のCARE加工後表面のAFM像など。

シソーラス用語： 固体素子 ,  超精密加工 ,  半導体素子 ,  *エッチング ,  平坦性 ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  単結晶 ,  平滑化 ,  *超精密研磨 ,  *電子素子
準シソーラス用語： *化学エッチング ,  *電子デバイス ,  平坦化

分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• 1) 土肥俊郎:諸説・半導体CMP技術,工業調査会,(2001).
• 2) H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata and K. Yamauchi : J. Electron. Mater., 35, L11 (2006).
• 3) 松波弘之:半導体SiC技術と応用,日刊工業新聞社,(2003).
• 4) T. Kato, K. Wada, E. Hozomi, H. Taniguchi, T. Miura, S. Nishizawa and K. Arai : Mater. Sci. Forum., 556-557, 753 (2007).
• 5) W. Qian, M. Skowronski, G. Augustine, R. C. Glass, H. McD. Hobgood and R. H. Hopkins : J. Electro-chem. Soc., 142, 4290 (1995).

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子デバイス ,  量産 ,  超精密研磨 ,  触媒 ,  エッチング ,  GaN ,  平滑化