Si(001)基板上において優先的な面内結晶方位を持つ斜方晶系BaSi<sub>2</sub>膜のエピタキシャル成長:微斜面とアニーリング温度の効果

TOH Katsuaki; HARA Kosuke O.; USAMI Noritaka; USAMI Noritaka; SAITO Noriyuki; YOSHIZAWA Noriko; TOKO Kaoru; SUEMASU Takashi; SUEMASU Takashi

文献

J-GLOBAL ID：201202258125422750 整理番号：12A1440899

Si(001)基板上において優先的な面内結晶方位を持つ斜方晶系BaSi₂膜のエピタキシャル成長:微斜面とアニーリング温度の効果

Epitaxy of Orthorhombic BaSi₂ with Preferential In-Plane Crystal Orientation on Si(001): Effects of Vicinal Substrate and Annealing Temperature

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資料名：
巻： 51 号： 9,Issue 1 ページ： 095501.1-095501.6 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,反応性蒸着(RDE)と引き続く分子ビームエピタクシー(MBE)によって,正確なSi(001)基板およびSi[110]方向に向かって2°のミスカット角を持つ微斜面Si(001)基板上に,優先的な面内結晶方位を持つ斜方晶系BaSi₂膜をエピタキシャル成長させた。微斜面Si(001)基板の場合には,RDE成長前におけるSi基板のアニーリング温度を830°Cから1000°Cに上昇させると,初期に形成されるBaSi₂核がSi[110]に平行な[010]方向に沿って一方向成長する傾向を持つことが分かった。透過型電子顕微鏡観察から,1000°Cでアニーリングした微斜面Si(001)基板上にMBE成長させたBaSi₂薄膜の結晶粒サイズは,9μm程度まで増大することが分かった。これは,これまでにBaSi₂に関して得られた最大の結晶粒サイズである。正確なSi(001)基板の場合でも,基板を1000°Cでアニーリングすると,MBE成長させたBaSi₂の結晶粒はSi[110]基板に沿う[010]方向に優先的に成長することが分かった。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (31件)：

1) J. E. Mahan, A. Vantomme, and G. Langouche: Phys. Rev. B 54 (1996) 16965.
2) J. Tani and H. Kido: Intermetallics 15 (2007) 1202.
3) J. Evers and A. Weiss: Mater. Res. Bull. 9 [5] (1974) 549.
4) M. Imai and T. Hirano: J. Alloys Compd. 224 (1995) 111.
5) K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 068001.

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Si(001)基板上において優先的な面内結晶方位を持つ斜方晶系BaSi2膜のエピタキシャル成長:微斜面とアニーリング温度の効果

Si(001)基板上において優先的な面内結晶方位を持つ斜方晶系BaSi₂膜のエピタキシャル成長:微斜面とアニーリング温度の効果