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J-GLOBAL ID：201202261815158046   整理番号：12A0495537

イオン性液体ゲート電気2重層が金薄膜に誘起する電気抵抗効果

Electroresistance Effect in Gold Thin Film Induced by Ionic-Liquid-Gated Electric Double Layer

著者 (10件)： NAKAYAMA Hiroyasu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YE Jianting (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHTANI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJIKAWA Yasunori (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ANDO Kazuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SAITOH Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITOH Eiji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Eiji (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 2  ページ： 023002.1-023002.3  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン性液体ゲート電気2重層トランジスタ(EDLT)を用いて金属薄膜での電気抵抗効果を検出した。Au薄膜の電気抵抗の可逆的変調を観測した。この系では,ただ1.7Vの正(負)ゲート電圧印加でも,電気2重層が27(-25)MVcm^-1電界をもつナノギャップコンデンサとして作用することがわかった。実験結果は,金属系の表面電子状態の制御用に,イオン性液体ゲートEDLT法が利用できることを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電気二重層 ,  *トランジスタ ,  金 ,  金属薄膜 ,  イオン液体 ,  ナノ構造 ,  間隙 ,  *電気抵抗 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  *電力コンデンサ
準シソーラス用語： 電気二重層トランジスタ ,  金薄膜 ,  ナノギャップ ,  ゲート電圧 ,  電気二重層キャパシタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  静電機器  (NB10020R)

引用文献 (46件)：

• SHIMOTANI, H. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 242107
• ONO, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 103313
• CHO, J. H. Nat. Mater. 2008, 7, 900
• CHO, J. H. Adv. Mater. 2008, 20, 686
• XIA, Y. Adv. Mater. 2009, 21, 2174

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン性液体 ,  ゲート ,  電気2重層 ,  金薄膜 ,  誘起 ,  電気抵抗