文献

J-GLOBAL ID：201202291915487310   整理番号：12A1598974

世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 2.不揮発性メモリ技術の最前線 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向

著者 (6件)： 遠藤哲郎 (東北大 大学院工学研究科) ,  大澤隆 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  小池洋紀 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  羽生貴弘 (東北大 電通研) ,  笠井直記 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  大野英男 (東北大 電通研)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 95  号： 11  ページ： 986-991  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,電子機器の消費電力の増大から,不揮発性で高速動作可能なワーキングメモリが渇望されている。本稿では,磁気トンネル接合素子(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)を用いたスピントルク注入(STT:Spin-Torque Transfer)方式に基づく磁気メモリの技術動向を論ずる。まず,高密度性に優れる1MTJ+1Tr型,及び高速性に優れる2MTJ+4Tr型の各STT磁気メモリについて述べ,続いてCMOSと不揮発性を融合させた論理回路の基本メモリとなるMTJ不揮発性ラッチ回路について述べる。最後に,電子機器の高速動作/低消費電力化に対する磁気メモリ技術のインパクトを論ずる。(著者抄録)

シソーラス用語： *技術展望 ,  競争力 ,  *不揮発性メモリ ,  *磁気メモリ ,  トルク ,  *スピントロニクス
準シソーラス用語： 国際競争力 ,  スピントルク

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• OHNO, H. Magnetic tunnel junction for nonvolatile CMOS logic. International Electron Devices Meeting, San Francisco, USA, Dec. 2010. 2010, 218-221
• POP, E. Energy dissipation and transport in nanoscale devices. Nano Research. 2010, 3, 3, 147-169
• KAWAHARA, T. 2 Mb SPRAM (SPin-Transfer Torque RAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read. IEEE J. Solid-State Circuits. 2008, 43, 1, 109-120
• 多々良源. スピントロニクス理論の基礎. 2009
• IKEDA, S. A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction. Nature Materials. 2010, 9, 9, 721-724

タイトルに関連する用語 (10件)： 世界 ,  競争 ,  最先端 ,  不揮発性メモリ ,  シリコン ,  限界 ,  スピントルク ,  注入 ,  磁気メモリ ,  最新動向