特許
J-GLOBAL ID：201203010522860898
窒化物半導体素子および半導体光学装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 酒本 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190136
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049337
出願日： 2010年08月26日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物半導体発光素子500(窒化物半導体素子)は、成長面20aを有する窒化物半導体層20と、窒化物半導体層20の成長面20a上に形成され、量子井戸構造を有する活性層120を含む窒化物半導体層200(層構造200)とを備えている。上記活性層120は、Alを含む窒化物半導体からなる量子井戸層120aを含んでおり、窒化物半導体層20の成長面20aは、m面に対して、少なくともa軸方向にオフ角度を有する面から構成されているとともに、a軸方向のオフ角度が、c軸方向のオフ角度より大きい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
成長面を有し、窒化物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の成長面上に形成され、量子井戸構造を有する活性層を含む窒化物半導体層とを備え、
前記活性層は、Alを含む窒化物半導体からなる量子井戸層を含み、
前記半導体層の成長面が、m面に対して、少なくともa軸方向にオフ角度を有する面から構成されているとともに、前記a軸方向のオフ角度が、c軸方向のオフ角度より大きいことを特徴とする、窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01S5/343 610
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F141AA03
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F173AH22
, 5F173AP24
, 5F173AQ12
, 5F173AR23
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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