特許

J-GLOBAL ID：201203010890278821

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 篠原 正昭
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-062139
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199362
出願日： 2011年03月22日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：

【課題】パターンの微細化、特に、SRAMのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、28nmテクノロジノードにおいては、ArFによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にHigh-k絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるhigh-kゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第1のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第1のレジスト膜を除去した後、第2のレジスト膜を用いて、ライン&スペースパターンのエッチングを実行するものである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法: (a)第1及び第2の主面を有する半導体ウエハであって、その第1の主面上に、メモリ領域および非メモリ領域を含む複数のチップ領域を有する前記半導体ウエハを準備する工程; (b)前記半導体ウエハの前記第1の主面上に、下層のhigh-kゲート絶縁膜および上層のゲートメタル電極膜を有するゲート積層膜を形成する工程; (c)前記ゲート積層膜上に、前記メモリ領域におけるゲート電極の延在方向において、隣接ゲート電極間切断領域を規定するための第1のレジスト膜を形成する工程; (d)前記第1のレジスト膜に対して、パターニングを実行することにより、前記隣接ゲート電極間切断領域に対応するレジスト膜開口を形成する工程; (e)パターニングされた前記第1のレジスト膜がある状態で、前記ゲート積層膜に対するエッチングを実行する工程; (f)前記工程(e)の後、前記第1のレジスト膜を除去する工程; (g)前記工程(f)の後、前記半導体ウエハの前記第1の主面上に、前記メモリ領域における前記ゲート電極に対応するライン&スペースパターンを規定するための第2のレジスト膜を形成する工程; (h)前記第2のレジスト膜に対して、パターニングを実行する工程; (i)パターニングされた前記第2のレジスト膜がある状態で、前記ゲート積層膜に対するエッチングを実行する工程; (j)前記工程(i)の後、前記第2のレジスト膜を除去する工程。

IPC (16件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/027

FI (17件)：

H01L27/10 381 ,  H01L21/88 B ,  H01L21/28 E ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/302 105A ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 461 ,  H01L21/30 573 ,  H01L21/30 568

Fターム (191件)：

4M104AA01 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD62 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104DD99 ,  4M104EE09 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004EA02 ,  5F004EA28 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX19 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083BS07 ,  5F083BS19 ,  5F083BS27 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA17 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA11 ,  5F110AA04 ,  5F110AA18 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK34 ,  5F110HK39 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF29 ,  5F140BG04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG40 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE00 ,  5F140CE05 ,  5F140CE11 ,  5F140CF04 ,  5F146AA13 ,  5F146NA07

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-292206   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-124688   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 多重反射防止層を備えた半導体構造物及びその構造物を利用したPRパターンの形成方法及び半導体素子パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-208856   出願人：三星電子株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-283816   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-305879   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-177193   出願人：三菱電機株式会社