特許
J-GLOBAL ID：201203012060686482
ヘテロ接合酸化物の不揮発性メモリデバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人北青山インターナショナル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-507481
公開番号（公開出願番号）：特表2012-525016
出願日： 2010年08月16日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
メモリデバイスが開示されている。このメモリデバイスは、第1の金属層及び第1の金属層に結合された第1の金属酸化物層を具える。このメモリデバイスは、第1の金属酸化物層に結合された第2の金属酸化物層及び第2の金属酸化物層に結合された第2の金属層を有する。第1の金属酸化物層の形成が、第2の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギよりも低いギブスの自由エネルギを有する。【選択図】図1b
請求項（抜粋）：
第1の金属層と;
前記第1の金属層に結合された第1の金属酸化物層と;
前記第1の金属酸化物層に結合された第2の金属酸化物層と;
前記第2の金属酸化物層に結合された第2の金属層と;
を具えたメモリデバイスであって、
前記第1の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギが、前記第2の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギよりも低いことを特徴とするメモリデバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 27/10
, G11C 13/00
H01L27/10 448
, H01L27/10 461
, G11C13/00 110R
, G11C13/00 120A
, G11C13/00 140
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA21
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083ZA12
, 5F083ZA13
, 5F083ZA15
, 5F083ZA21
