半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-248576
公開番号（公開出願番号）：特開2012-074714
出願日： 2011年11月14日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜15に形成された凹部16、17内にバリアメタル層20を形成した後、凹部16、17内にCu配線層23を形成する。バリアメタル層20の形成工程は、凹部16、17内にTi含有量が50原子%を超える第1のTiNx膜18を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ti含有量が第1のTiNx膜18より多い第2のTiNx膜(またはTi膜)19を形成する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、前記凹部の底部および側壁部に沿ってバリアメタル層を形成する工程と、前記凹部内に前記バリアメタル層を介してCu配線層を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法であって、前記バリアメタル層の形成工程は、前記凹部の底部および側壁部に沿って、TiおよびNを含み、酸素および貴金属成分を除く全成分におけるTi含有量が50原子%を超える第1のTiNx膜からなる第1の層を形成する工程と、前記側壁部上に堆積した前記第1の層上と比較して前記底部上に堆積した前記第1の層上に相対的に多く形成されるように、TiおよびNを含み、酸素および貴金属成分を除く全成分におけるTi含有量が第1のTiNx膜より多い第2のTiNx膜、またはTi膜からなる第2の層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , C23C 14/06

FI (6件)：

H01L21/88 R , H01L21/90 A , H01L21/28 301R , H01L21/285 S , C23C14/06 N , C23C14/06 A

Fターム (60件)：

4K029AA29 , 4K029BA17 , 4K029BA60 , 4K029BB02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029CA13 , 4K029EA04 , 4K029FA05 , 4M104BB30 , 4M104BB38 , 4M104DD22 , 4M104DD38 , 4M104DD42 , 4M104DD86 , 4M104DD88 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH02 , 4M104HH08 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP14 , 5F033PP16 , 5F033PP17 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ90 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033WW04 , 5F033XX06 , 5F033XX08 , 5F033XX13

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-371187 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-343495 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-185564 出願人：株式会社東芝

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