特許
J-GLOBAL ID：201203021762500009
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (19件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
, 河部 大輔
, 長谷川 雅典
, 岩下 嗣也
, 福本 康二
, 前田 亮
, 間脇 八蔵
, 松永 裕吉
, 川北 憲司
, 岡澤 祥平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-171496
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033679
出願日： 2010年07月30日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタにおける高電圧スイッチング時の電流コラプスを効果的に抑制できるようにする。【解決手段】第1の半導体層103は、少なくともゲート電極106におけるドレイン電極107側の端部の下側の領域において、炭素濃度が1×1017cm-3未満である低炭素濃度領域を有し、基板101の上面から第1の半導体層103及び第2の半導体層104を含むドレイン電極までの半導体層の厚さをd1(μm)とし、低炭素濃度領域の厚さをd2(μm)とし、動作耐圧をVm(V)としたとき、Vm/(110・d1)≦d2<Vm/(110・d1)+0.5の関係を満たし、且つ、緩和状態におけるオン抵抗をRon0とし、動作電圧Vmにおけるオフ状態からオン状態に遷移した100μs後のオン抵抗をRonとしたとき、電流コラプス値の指標とするRonとRon0との比の値が、Ron/Ron0≦3である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の上に形成された第1のIII族窒化物半導体層と、
前記第1のIII族窒化物半導体層の上に形成され、且つ前記第1のIII族窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2のIII族窒化物半導体層と、
前記第2のIII族窒化物半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極並びに前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されたゲート電極と、
前記第2のIII族窒化物半導体層の上に前記ゲート電極又は前記ソース電極と接続して設けられ、且つ前記ゲート電極における前記ドレイン電極側の端部を覆うフィールドプレートとを備え、
前記第1のIII族窒化物半導体層は、少なくとも前記ゲート電極における前記ドレイン電極側の端部の下側の領域において、炭素濃度が1×1017cm-3未満である低炭素濃度領域を有し、
前記基板の上面から前記第1のIII族窒化物半導体層及び第2のIII族窒化物半導体層を含む前記ドレイン電極までのIII族窒化物半導体層の厚さをd1(μm)とし、前記低炭素濃度領域の厚さをd2(μm)とし、動作耐圧をVm(V)としたとき、
Vm/(110・d1)≦d2<Vm/(110・d1)+0.5
の関係を満たし、
且つ、緩和状態におけるオン抵抗をRon0とし、動作電圧Vmにおけるオフ状態からオン状態に遷移した100μs後のオン抵抗をRonとしたとき、電流コラプス値の指標とするRonとRon0との比の値が、
Ron/Ron0≦3
であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 29/06
, H01L 21/205
H01L29/80 H
, H01L29/06 301F
, H01L21/205
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045BB16
, 5F045DA59
, 5F102FA01
, 5F102FA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GK09
, 5F102GL04
, 5F102GL14
, 5F102GL18
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GR06
, 5F102GR07
, 5F102GR12
, 5F102GS01
, 5F102GS03
, 5F102GT03
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC02
, 5F102HC15
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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