半導体装置および当該半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064916
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216797
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：

【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に接して設けられた、結晶性を有する酸化物半導体膜を有し、前記絶縁膜の表面の平均面粗さは0.1nm以上0.5nm未満であり、前記結晶性を有する酸化物半導体膜はc軸が前記絶縁膜表面に概略垂直である結晶を含む、半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 27/105 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/11 , H01L 27/10 , G02F 1/136

FI (17件)：

H01L21/20 , H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 626C , H01L29/78 627G , H01L29/78 627A , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L27/10 441 , H01L29/78 371 , H01L27/10 621Z , H01L27/10 681A , H01L27/10 681B , H01L27/10 671Z , H01L27/10 381 , H01L27/10 461 , G02F1/1368

Fターム (191件)：

2H092GA50 , 2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA35 , 2H092JB46 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA19 , 2H092NA17 , 2H092NA22 , 2H092QA09 , 5F083AD02 , 5F083AD10 , 5F083AD49 , 5F083AD69 , 5F083BS03 , 5F083BS07 , 5F083BS09 , 5F083BS11 , 5F083BS12 , 5F083BS15 , 5F083BS19 , 5F083BS21 , 5F083BS23 , 5F083BS24 , 5F083BS27 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083ER02 , 5F083ER13 , 5F083ER21 , 5F083GA01 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA10 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR12 , 5F083PR34 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA15 , 5F083ZA21 , 5F101BA17 , 5F101BA19 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BC20 , 5F101BD07 , 5F101BD30 , 5F101BD32 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD40 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BF05 , 5F101BF09 , 5F101BH01 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE15 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC07 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD15 , 5F152CE01 , 5F152CE03 , 5F152CE06 , 5F152CE07 , 5F152CE08 , 5F152CE12 , 5F152CE15 , 5F152CE16 , 5F152CE17 , 5F152CE24 , 5F152CE43 , 5F152CE45 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF16 , 5F152FF17 , 5F152FF22 , 5F152FF30

引用特許：

審査官引用 (6件)

結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-170483 出願人：富士フイルム株式会社
薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-289855 出願人：富士フイルム株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-083386 出願人：キヤノン株式会社

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