薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-083386
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194351
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】特性劣化を引き起こすゲート電極表面の凹凸が抑えられた、可視光に対して透明な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、から少なくとも構成されるボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、該トランジスタを構成するすべての部材は、可視光に対して透明であり、該ゲート電極と該ゲート絶縁層との界面において、該界面の垂直方向の凹部と凸部の差は30nm以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、から少なくとも構成されるボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、該トランジスタを構成するすべての部材は、可視光に対して透明であり、該ゲート電極と該ゲート絶縁層との界面において、該界面の垂直方向の凹部と凸部の差は30nm以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/78 617M , H01L29/78 618B , H01L29/78 627A , H01L29/58 G , H01L29/50 M , H01L21/28 301R

Fターム (44件)：

4M104AA03 , 4M104AA06 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC05 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD83 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE16 , 4M104FF08 , 4M104GG09 , 4M104HH12 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE07 , 5F110EE22 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタの構造及び窒化シリコン膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-318164 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (6件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258265 出願人：キヤノン株式会社
電子素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-083094 出願人：ソニー株式会社
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-279787 出願人：株式会社日立製作所

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