特許
J-GLOBAL ID：201203026160464712

半導体発光素子

発明者：
神谷 真央

神谷 真央 について

, 
出口 将士

出口 将士 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (2件)： 平田 忠雄 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-271602
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124219
出願日： 2010年12月06日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】半導体層表面の凹凸および反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子1は、n型半導体層11とp型半導体層13とに挟まれた発光層12を有する半導体積層構造を有し、発光層12のn型半導体層11側から光を取り出す半導体発光素子であって、p型半導体層13上に形成された、発光層12から発せられた光を反射する反射層16と、を有し、n型半導体層11は、発光層12と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域110を有し、反射層16の少なくとも一部は、凹凸領域110の端部の直上まで形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型層と第2導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造を有し、前記発光層の前記第1導電型層側から光を取り出す半導体発光素子であって、 前記第2導電型層上に形成された、前記発光層から発せられた光を反射する反射層と、 を有し、 前記第1導電型層は、前記発光層と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域を有し、 前記反射層の少なくとも一部は、前記凹凸領域の端部の直上まで形成される、 半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/22
FI (2件)：
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 172
Fターム (24件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA13 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA77 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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