特許
J-GLOBAL ID：201003005051533559

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
筆田 麻祐子

筆田 麻祐子 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-201971
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040761
出願日： 2008年08月05日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】上下電極構造を採り得る窒化物半導体発光素子であって、内部量子効率、光取り出し効率および駆動電圧に優れ、量産性にも優れる窒化物半導体発光素子、ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】誘電体からなる反射層105、透明導電層106、p型窒化物半導体層109、発光層110およびn型窒化物半導体層111をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。透明導電層106は、導電性金属酸化物またはn型窒化物半導体からなることが好ましく、誘電体からなる反射層105は、高屈折率を有する誘電体からなる層と低屈折率を有する誘電体からなる層とを交互に積層させた積層構造を有することが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電体からなる反射層、透明導電層、p型窒化物半導体層、発光層およびn型窒化物半導体層をこの順で含む窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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