特許
J-GLOBAL ID：201203026458614172

窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子

発明者：
岩見 正之

岩見 正之 について


出願人/特許権者：
次世代パワーデバイス技術研究組合

次世代パワーデバイス技術研究組合 について


代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-192552
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049463
出願日： 2010年08月30日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される1以上のIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、5×1016cm-3〜5×1018cm-3である。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される1以上のIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、 添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体。
IPC (10件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/207 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/261
FI (9件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/205 ,  H01L29/207 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 602 ,  H01L21/26 N
Fターム (79件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL15 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F152LL05 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN10 ,  5F152NN13 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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