特許
J-GLOBAL ID：200903095806686251
窒化ガリウム系半導体素子及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた画像表示装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
逢坂 宏
, 森 幸一
, 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-174789
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016467
出願日： 2007年07月03日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】逆バイアス印加時に発生する漏洩電流を抑制することができるGaN系半導体素子及びこれを用いた光学装置、画像表示装置を提供すること。【解決手段】GaN系半導体素子は、n型の導電型層を含む第1GaN系化合物層と、p型の導電型層を含む第2GaN系化合物層と、第1GaN系化合物層と第2GaN系化合物層との間に形成された活性層とを有し、第1GaN系化合物層は、Siドーピング濃度(原子/cm3)が3×10183以上、3×1019以下である下地層を含み、逆方向バイアスが印加された場合に、活性層の漏洩電流密度(A/cm2)が2×10-5以下である。Siドーピング濃度をより好ましくは、4×1018、8×1018、1×1019以上とすることによって、漏洩電流密度を8×10-6、1×10-6、6×10-7以下とすることができる。GaN系半導体素子を発光素子として構成して、これを光学装置、画像表示装置に用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型の導電型層を含む第1GaN系化合物層と、
p型の導電型層を含む第2GaN系化合物層と、
前記第1GaN系化合物層と前記第2GaN系化合物層との間に形成された活性層と
を有し、前記第1GaN系化合物層は、n型の不純物濃度が3×1018/cm3以上、3×1019/cm3以下である下地層を含み、5Vの逆方向バイアスが印加された場合に、前記活性層の単位面積当りに流れる電流の密度である漏洩電流密度が2×10-5A/cm2以下である、窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 L
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA92
, 5F041CB15
, 5F041CB25
, 5F041CB33
, 5F041CB36
, 5F041DA43
, 5F041DB08
, 5F041FF06
, 5F041FF11
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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