半導体ウエハ研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順 , 大宅一宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-114065
公開番号（公開出願番号）：特開2009-263484
出願日： 2008年04月24日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】電子材料用研磨材等に有用なコロイダルシリカを提供すること。【解決手段】テトラアルコキシシランの加水分解により得られた活性珪酸水溶液と、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン、イミダゾール、メチルイミダゾール、ピペリジン、モルホリン、アルギニンおよびヒドラジンのいずれか1種類以上である窒素含有塩基性化合物によって製造されるコロイダルシリカであって、該コロイダルシリカが非球状のシリカ粒子を含有し、さらに25°CにおけるpHが8.5〜11.0であることを特徴とする半導体ウエハ研磨用コロイダルシリカ。非球状のシリカ粒子は、透過型電子顕微鏡観察によるシリカ粒子の長径/短径比が1.2〜20であって、長径/短径比の平均値が3〜15である非球状の異形粒子群シリカ粒子であることが好ましい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

テトラアルコキシシランの加水分解により得られた活性珪酸水溶液と、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン、イミダゾール、メチルイミダゾール、ピペリジン、モルホリン、アルギニンおよびヒドラジンのいずれか1種類以上である窒素含有塩基性化合物によって製造されるコロイダルシリカであって、該コロイダルシリカが非球状のシリカ粒子を含有し、さらに25°CにおけるpHが8.5〜11.0であることを特徴とする半導体ウエハ研磨用コロイダルシリカ。

IPC (4件)：

C09K 3/14 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C01B 33/151

FI (5件)：

C09K3/14 550D , H01L21/304 622D , H01L21/304 622B , B24B37/00 H , C01B33/151

Fターム (24件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA17 , 4G072AA28 , 4G072CC01 , 4G072DD06 , 4G072DD07 , 4G072EE01 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH30 , 4G072JJ42 , 4G072KK01 , 4G072MM06 , 4G072PP02 , 4G072PP09 , 4G072RR05 , 4G072TT01 , 4G072TT20 , 4G072TT30 , 4G072UU01 , 4G072UU30

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平2-146732号公報
研磨液及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-365623 出願人：日立化成工業株式会社
研磨用組成物及びそれを使用した研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-115291 出願人：田中弘明

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審査官引用 (6件)

水性シリカゾルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-167973 出願人：旭電化工業株式会社
単分散SiO2粒子の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-502215 出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
中性コロイダルシリカの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-303507 出願人：多摩化学工業株式会社

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