シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：須田篤 , 楠修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-067402
公開番号（公開出願番号）：特開2012-201551
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】Si結晶インゴット中における抵抗率のばらつきが小さく、Si結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化を防ぐことができる高品質なシリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】ドープ元素としてボロン(B)とゲルマニウム(Ge)とを有し、ボロンの濃度が2×1014atoms/cm3以上、3×1018atoms/cm3以下の範囲であり、同時に添加するゲルマニウムの濃度が1×1015atoms/cm3以上3×1020atoms/cm3以下の範囲である。Bを単独で添加した結晶と比較してBとGeとを添加した結晶においてはFPD(Flow Pattern Defect)の密度が低下する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ドープ元素としてボロン(B)とゲルマニウム(Ge)とを有し、前記ボロンの濃度が2×1014atoms/cm3以上、3×1018atoms/cm3以下の範囲であり、同時に添加する前記ゲルマニウムの濃度が1×1015atoms/cm3以上3×1020atoms/cm3以下の範囲であることを特徴とするシリコン結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 15/04

FI (2件)：

C30B29/06 A , C30B15/04

Fターム (6件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077HA01 , 4G077PB14

引用特許：

審査官引用 (4件)

高耐熱衝撃性シリコンウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-344136 出願人：株式会社シリコンテクノロジー
Si結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-064269 出願人：国立大学法人東北大学
シリコン単結晶の引上げ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-054302 出願人：東芝セラミックス株式会社

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