特許
J-GLOBAL ID：201203029086173939
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
目次 誠
, 宮▲崎▼ 主税
, 中山 和俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-187408
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049193
出願日： 2010年08月24日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】向上した発電効率を有する太陽電池を製造し得る方法を提供する。【解決手段】第1の半導体層12nを形成する。第1の半導体層12nの上に絶縁層23を形成する。絶縁層23の少なくとも一部を除去することにより、第1の半導体層12nの一部を露出させる。第1の半導体層12nの絶縁層18からの露出部12n1をバッファードフッ酸により洗浄する。第1の半導体層12nの絶縁層18からの露出部12n1の上に第1の電極14を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1及び第2の主面を有する半導体基板と、前記第1の主面の上に形成されており、第1の導電型の半導体からなる第1の半導体層と、前記第1または第2の主面の上に形成されており、第2の導電型の半導体からなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成されている第1の電極と、前記第2の半導体層の上に形成されている第2の電極とを有する太陽電池の製造方法であって、
前記第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の少なくとも一部を除去することにより、前記第1の半導体層の一部を露出させる工程と、
前記第1の半導体層の前記絶縁層からの露出部をバッファードフッ酸により洗浄する工程と、
前記第1の半導体層の前記絶縁層からの露出部の上に前記第1の電極を形成する工程と、
を備える、太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA05
, 5F151CA14
, 5F151CB21
, 5F151DA10
