特許
J-GLOBAL ID：201003026588333219

マッハツェンダ型光変調器

発明者：
田中 有

田中 有 について

, 
山本 剛之

山本 剛之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-170325
公開番号（公開出願番号）：特開2010-008869
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】 マッハツェンダ型光変調器の2本の変調導波路の間に配置された接地電極が変調導波路と交差する部分の作製のために、製造工程が複雑になる。【解決手段】 半導体基板の上に、相互に間隔を隔てて第1及び第2の変調導波路(28,29)が配置される。さらに、第1及び変調導波路に接続される分波器(25)及び合波器(30)が配置される。第1の変調導波路の上に第1の信号電極(35)が配置され、第2の変調導波路の上に第2の信号電極(36)が配置される。第1の信号電極の両側の基板表面のうち、第2の信号電極側に第1の内側接地電極(39)が配置され、その反対側に第1の外側接地電極(37)が配置される。第2の信号電極の両側の基板表面のうち、第1の信号電極側に第2の内側接地電極(39)が配置され、その反対側に第2の外側接地電極(38)が配置される。第1の及び第2の内側接地電極は、第1の変調導波路及び前記第2の変調導波路のいずれとも重ならない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に、相互に間隔を隔てて配置された第1及び第2の変調導波路と、 前記半導体基板の上に配置され、前記第1の変調導波路及び第2の変調導波路の入力端に接続された分波器と、 前記半導体基板の上に配置され、前記第1の変調導波路及び第2の変調導波路の出力端に接続された合波器と、 前記第1の変調導波路の上に、該第1の変調導波路に沿って配置された第1の信号電極と、 前記第2の変調導波路の上に、該第2の変調導波路に沿って配置された第2の信号電極と、 前記第1の信号電極の両側の基板表面のうち、前記第2の信号電極側に配置された第1の内側接地電極と、 前記第1の信号電極の両側の基板表面のうち、前記第2の信号電極とは反対側に配置された第1の外側接地電極と、 前記第2の信号電極の両側の基板表面のうち、前記第1の信号電極側に配置された第2の内側接地電極と、 前記第2の信号電極の両側の基板表面のうち、前記第1の信号電極とは反対側に配置された第2の外側接地電極と を有し、 前記第1の内側接地電極及び前記第2の内側接地電極は、平面視において、前記第1の変調導波路、及び前記第2の変調導波路のいずれとも重ならない光変調器。
IPC (1件)：
G02F 1/017
FI (1件)：
G02F1/017 503
Fターム (9件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA05 ,  2H079EB04 ,  2H079HA04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体光変調器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-111851   出願人：アンリツ株式会社
  • K. Tsuzuki et al., "A 40-Gb/s InGaAlAs-InAlAs MQW n-i-n Mach-Zehnder Modulator With a Drive Voltage of 2.3 V", IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 17, No. 1, January 2005
審査官引用 (7件)
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