窒化物系発光ヘテロ構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山田行一 , 野田雅一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-091174
公開番号（公開出願番号）：特開2012-165002
出願日： 2012年04月12日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

【課題】改良された窒化物系発光ヘテロ構造を提供する。【解決手段】窒化物系発光ヘテロ構造は、電子供給層18と、正孔供給層22とを含み、それらの間に光発生構造20が配置される。光発生構造は、各々が傾斜組成を有するバリア層34のセットと、各々が少なくとも1つのバリア層と隣接する量子井戸32のセットとを含む。特性の1つ以上を改良するために、各量子井戸の厚みなどのさらなる特徴を選択し/ヘテロ構造に取り入れ得る。さらに、傾斜組成を含む1つ以上の追加層が、光発生構造の外側のヘテロ構造に含まれ得る。傾斜組成層により、電子は、光発生構造の量子井戸に入る前にエネルギーを失うことで、電子は、量子井戸でより効率的に正孔と再結合できるようになる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光発生構造を形成する工程を含む窒化物系発光ヘテロ構造の発生方法であって、前記光発生構造を形成する工程は、電子が量子井戸に入る前に電子のエネルギーを失わせる傾斜組成を各々が含むバリア層のセットを形成する工程と、各々が前記バリア層と隣接する量子井戸のセットを形成する工程と、を含み、前記量子井戸のセットを形成する工程は、量子井戸の各々の厚みを非輻射再結合中心半径に基づいて選択する工程であって、前記選択された厚みは前記非輻射再結合中心半径より小さい、該工程を含む、窒化物系発光ヘテロ構造の発生方法。

IPC (2件)：

H01L 33/06 , H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 112 , H01L33/00 186

Fターム (10件)：

5F141AA03 , 5F141AA04 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA08 , 5F141CA12 , 5F141CA40 , 5F141CA60 , 5F141CB15 , 5F141CB36

引用特許：

出願人引用 (7件)

勾配組成活性領域を有する発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-215461 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
窒化物系半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-021333 出願人：株式会社東芝
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-024660 出願人：日本電信電話株式会社

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