特許
J-GLOBAL ID：201203035805554125

誘電体メモリ素子を有するメモリセル

発明者：
リゥ,ジュン

リゥ,ジュン について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-545527
公開番号（公開出願番号）：特表2012-515437
出願日： 2010年01月12日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
いくつかの実施形態は、第1の電極、第2の電極、および第1の電極と第2の電極との間に位置する誘電体を備えるメモリセルを有する、装置および方法を含む。誘電体は、メモリセルが、メモリセル内に記憶された情報の第1の値を表すために、第1の電極の材料の一部分から、誘電体内に導電路を形成することを可能にするように構成されてもよい。誘電体はまた、メモリセルが、メモリセル内に記憶された情報の第2の値を表すために、導電路を破壊することを可能にするように構成されてもよい。
請求項（抜粋）：
メモリセルであって、 第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置する誘電体であって、前記メモリセルが、前記メモリセル内に記憶された情報の第1の値を表すために、前記第1の電極の材料の一部分から前記誘電体内に導電路を形成することを可能にするように構成され、かつ、前記メモリセル内に記憶された情報の第2の値を表すために、前記メモリセルが前記導電路を破壊することを可能にするように構成される、誘電体と、 を備える、メモリセル。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  G11C 13/00
FI (7件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 431 ,  H01L27/10 461 ,  G11C13/00 110R
Fターム (11件)：
5F083CR14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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