追記型メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-504182
公開番号（公開出願番号）：特表2008-536307
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

追記型記憶装置(130)は、第1および第2の電極(132、148)、第1および第2の電極間の不動態層(134)および第1および第2の電極(132、138)間の活性層(136)からなる。記憶装置(130)は、荷電種を不動態層(134)から活性層(136)内へと印加することによってプログラムされる。記憶装置(130)は、プログラムされた記憶装置(130)について第1の消去活性化エネルギを有するようにプログラムし得る。本方法は、プログラムされた記憶装置(130)について、第1の消去活性化エネルギより大きい第2の消去活性化エネルギを与える。

請求項（抜粋）：

記憶装置(130)に対して動作を行なう方法であって、前記記憶装置(130)は、第1および第2の電極(132、138)と、前記第1および第2の電極(132、138)間の不動態層(134)と、前記第1および第2の電極間の活性層(136)とを含み、前記記憶装置(130)は、荷電種を前記不動態層(134)から前記活性層(136)内へと与えることによってプログラムされ、前記記憶装置(130)は、プログラムされた記憶装置(130)について第1の消去活性化エネルギを有するようにプログラムでき、前記方法は、前記プログラムされた記憶装置(130)について前記第1の消去活性化エネルギより大きい第2の消去活性化エネルギを与えるステップを含む、記憶装置に対して動作を行なう方法。

IPC (6件)：

H01L 27/10 , G11C 17/06 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (6件)：

H01L27/10 451 , G11C17/06 D , H01L27/10 449 , H01L29/28 100B , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (11件)：

5B125BA17 , 5B125CA08 , 5B125DB01 , 5B125EA01 , 5B125FA05 , 5F083FZ07 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA21 , 5F083JA37 , 5F083JA39

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-011912 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-341475 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
メモリデバイス及びこのデバイスの使用方法ないし製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-518620 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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