特許
J-GLOBAL ID：201203036305611447
TOF質量分析によるHIPIMSスパッタ源のプラズマ解析方法及びその装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
小西 富雅
, 中村 知公
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-243309
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099226
出願日： 2010年10月29日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】HIPIMSのスパッタ源のプラズマに含まれるイオンの生成分布を安定して検出する。【解決手段】HIPIMSのスパッタ源で発生したプラズマに含まれるイオンをTOF質量分析にかけて、イオンの生成分布を検出する。その際、プラズマからの光を検出し、TOF分析装置におけるイオンの飛行時間の開始時刻をプラズマからの光に基づき定める。HIPIMSのスパッタ源に対向するTOF質量分析装置の開口部はスパッタ源のターゲットより低い電位とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
HIPIMSのスパッタ源で発生したプラズマからの光を検出する光検出ステップと、
前記プラズマからのイオンをTOF質量分析する際に、飛行時間の開始時刻を前記光検出ステップで検出した光に基づき定める、ことを特徴とするTOF質量分析によるHIPIMSスパッタ源のプラズマ解析方法。
IPC (4件)：
H01J 49/40
, G01N 27/62
, H05H 1/00
, C23C 14/34
H01J49/40
, G01N27/62 E
, G01N27/62 K
, H05H1/00 A
, C23C14/34 T
, C23C14/34 U
2G041CA01
, 2G041DA20
, 2G041EA01
, 2G041FA16
, 2G041GA06
, 2G041GA13
, 2G041LA07
, 4K029DA03
, 4K029DC33
, 4K029DC39
, 4K029EA06
