特許
J-GLOBAL ID：201203037809379029
レーザ加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
古部 次郎
, 伊與田 幸穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-137568
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004316
出願日： 2010年06月16日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。【解決手段】ウエハ状の基板11の基板表面11aに複数の半導体発光素子21を構成する積層半導体層12が形成された素子群形成基板20に対し、基板裏面11b側からレーザ光64を照射し、基板11の内部に、基板11の面に沿うy方向に向かう第1改質領域L1、第3改質領域L3と、基板11の面に沿い且つy方向とは異なるx方向に向かう第2改質領域L2、第4改質領域L4とを形成する改質領域形成工程において、基板11の基板表面11aに近い側から遠い側(基板裏面11bに遠い側から近い側)に向けて順番に、第1改質領域L1、第2改質領域L2、第3改質領域L3および第4改質領域L4の順で形成する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
板状の基板の表面に複数の電子素子が形成された素子群形成基板に対し、当該基板の裏面側から当該基板の面に沿う第1方向にレーザ光を順次照射し、当該基板の内部であって当該裏面からの深さが第1深さとなる部位に当該レーザ光を順次集光させることで、当該基板の内部に当該第1方向に沿う第1改質領域を形成する工程と、
前記第1改質領域が形成された前記素子群形成基板に対し、前記基板の裏面側から当該基板の面に沿い且つ前記第1方向とは異なる第2方向にレーザ光を順次照射し、当該基板の内部であって当該裏面からの深さが前記第1深さよりも浅い第2深さとなる部位に当該レーザ光を順次集光させることで、当該基板の内部に当該第2方向に沿う第2改質領域を形成する工程と
を有するレーザ加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301
, B23K 26/40
, B23K 26/04
, B28D 5/00
H01L21/78 B
, B23K26/40
, B23K26/04 C
, B28D5/00 Z
3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069CA05
, 3C069EA05
, 4E068AE01
, 4E068CA11
, 4E068DA10
, 4E068DB11
