特許
J-GLOBAL ID:201203039927296610
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-076376
公開番号(公開出願番号):特開2012-234155
出願日: 2012年03月29日
公開日(公表日): 2012年11月29日
要約:
【課題】リソグラフィー技術を用いたレジストパターン製造では、設計寸法がますます微細化していくことに従い、優れたCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物が求められるようになってきた。【解決手段】以下の(A)及び式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。(A)酸不安定基を含む第1の構造単位と、ラクトン環を含む第2の構造単位とを有する樹脂;[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。L1は、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、nが0の場合、L1は単結合ではない。R1は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
以下の(A)及び式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。
(A)酸不安定基を含む第1の構造単位と、ラクトン環を含む第2の構造単位とを有する樹脂;
IPC (4件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, C08F 220/28
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, C08F220/28
, H01L21/30 502R
Fターム (44件):
2H125AF16P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF21P
, 2H125AF27P
, 2H125AF38P
, 2H125AF70P
, 2H125AH05
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AL11
, 2H125AM22P
, 2H125AM99P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN45P
, 2H125AN54P
, 2H125AN63P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100BA03R
, 4J100BA11S
, 4J100BA11T
, 4J100BA15T
, 4J100BC04Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC53S
, 4J100BC53T
, 4J100CA03
, 4J100DA01
, 4J100JA38
引用特許:
前のページに戻る