特許
J-GLOBAL ID:201203039927296610

レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-076376
公開番号(公開出願番号):特開2012-234155
出願日: 2012年03月29日
公開日(公表日): 2012年11月29日
要約:
【課題】リソグラフィー技術を用いたレジストパターン製造では、設計寸法がますます微細化していくことに従い、優れたCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物が求められるようになってきた。【解決手段】以下の(A)及び式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。(A)酸不安定基を含む第1の構造単位と、ラクトン環を含む第2の構造単位とを有する樹脂;[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。L1は、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、nが0の場合、L1は単結合ではない。R1は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
以下の(A)及び式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。 (A)酸不安定基を含む第1の構造単位と、ラクトン環を含む第2の構造単位とを有する樹脂;
IPC (4件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08F 220/28 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  C08F220/28 ,  H01L21/30 502R
Fターム (44件):
2H125AF16P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF27P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AL11 ,  2H125AM22P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03R ,  4J100BA11S ,  4J100BA11T ,  4J100BA15T ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53S ,  4J100BC53T ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (8件)
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