酸化物半導体の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-246557
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099661
出願日： 2010年11月02日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：

【課題】ZnOの結晶性を向上させることができ、それによってZnO薄膜の膜厚を小さくすることができ、十分な電界効果移動度と高い透過率を達成できる金属酸化物薄膜の積層構造を提供する。【解決手段】In及びSnのいずれか一方又は両方の金属元素M1の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び、前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともZnOを含有する第二の薄膜からなる積層構造。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

In及びSnのいずれか一方又は両方の金属元素M1の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともZnOを含有する第二の薄膜からなる積層構造。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L29/78 618E , H01L31/04 E , H01L29/78 618B

Fターム (22件)：

5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN16 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F151AA10 , 5F151FA04

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-159841 出願人：富士フイルム株式会社
電界効果型トランジスタ及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-222514 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-268997 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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