特許
J-GLOBAL ID：201203042544432635
荷電粒子線装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 渡邊 孝弘
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-271016
公開番号（公開出願番号）：特開2012-122730
出願日： 2010年12月06日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電子線を照射して試料のパターンの欠陥を検査する荷電粒子線装置であって、
前記試料に前記電子線を照射して二次荷電粒子を検出する電子光学系と、
前記二次荷電粒子から得られた被検査画像に対して演算処理することで欠陥を検出する画像処理部と、
前記欠陥の画像を表示する表示部とを有し、
前記画像処理部は、
前記試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて前記パターンの輪郭を抽出する輪郭抽出部と、
前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定する検査対象領域設定部と、
前記被検査画像を前記被検査画像に対応する部分の画像と比較して欠陥候補を検出する比較演算部と、
前記欠陥候補が前記検査対象領域に含まれるか否かを判定し、前記検査対象領域に含まれる場合に前記欠陥候補を欠陥と判定する欠陥判定部とを有することを特徴とする荷電粒子線装置。
IPC (4件)：
G01N 23/225
, G06T 1/00
, H01J 37/22
, H01L 21/66
G01N23/225
, G06T1/00 305A
, H01J37/22 502H
, H01L21/66 J
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA15
, 2G001CA03
, 2G001FA02
, 2G001FA29
, 2G001GA06
, 2G001HA07
, 2G001HA09
, 2G001HA13
, 2G001JA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DJ12
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 5B057AA03
, 5B057BA17
, 5B057DA03
, 5B057DB02
, 5B057DB09
, 5B057DC17
, 5B057DC22
