特許
J-GLOBAL ID：201003093996106360

反射防止膜成膜方法および反射防止膜成膜装置

発明者：
猿渡 哲也

猿渡 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-218700
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056242
出願日： 2008年08月27日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】太陽電池の反射防止膜の成膜において、洗浄処理工程で除去した自然酸化膜が再成長することを抑制し、半導体表面の自然酸化膜を除去すると共に半導体表面下のダメージ層を除去して交換効率を向上させる。【解決手段】太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiNx)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をN2ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン(SiNx)膜を成膜する成膜工程とを備える。これらの前処理工程および成膜工程は低周波プラズマ処理により行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiNx)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、 前記半導体表面をN2ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、 前記前処理工程に後、当該半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン(SiNx)膜を成膜する成膜工程と備え、 前記前処理工程および前記成膜工程を低周波プラズマ処理により行うことを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 F
Fターム (16件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051HA03 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB12 ,  5F151CB20 ,  5F151CB29 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151HA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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