特許
J-GLOBAL ID：201203048083868256

レーザスクライブ方法

発明者：
八幡 恵輔

八幡 恵輔 について

, 
清水 政二

清水 政二 について


出願人/特許権者：
三星ダイヤモンド工業株式会社

三星ダイヤモンド工業株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-193220
公開番号（公開出願番号）：特開2012-050988
出願日： 2010年08月31日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：
【課題】サファイア基板をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにする。【解決手段】このレーザスクライブ方法は、パルスレーザ光をサファイア基板に照射してスクライブする方法であって、第1工程と第2工程とを備えている。第1工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光をサファイア基板に照射し、改質領域としてのレーザ加工痕を基板の裏面に形成する工程である。第2工程は、パルスレーザ光をその焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、基板の裏面から表面に到達しない深さまで進行する線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
パルスレーザ光を脆性材料基板に照射してスクライブするレーザスクライブ方法であって、 ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を脆性材料基板に照射し、改質領域としてのレーザ加工痕を脆性材料基板の裏面に形成する第1工程と、 パルスレーザ光をその焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、脆性材料基板の裏面から表面に到達しない深さまで進行する線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する第2工程と、 を備えたレーザスクライブ方法。
IPC (5件)：
B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B28D 5/00
FI (7件)：
B23K26/00 D ,  B23K26/00 G ,  B23K26/06 A ,  B23K26/00 N ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 Z
Fターム (15件)：
3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069CA03 ,  3C069CA06 ,  4E068AD01 ,  4E068AE00 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA11 ,  4E068CD01 ,  4E068DA09 ,  4E068DB11 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01 ,  4G015FC14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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