特許
J-GLOBAL ID：201203054554277148
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
, 京村 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-143179
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227501
出願日： 2011年06月28日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：
【課題】逆方向リーク電流および順方向電圧を低減することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】表面12および裏面11を有し、表面12側に側壁22および底壁20を有する台形トレンチ17が形成されたSiCエピタキシャル層6の表面12に接するように、アノード電極27をショットキー接合させる。また、各台形トレンチ17の底壁20のエッジ部24を、曲率半径Rが0.01L<R<10L・・・(1)(式(1)において、Lはトレンチ17の幅方向に沿って対向するエッジ部24間の直線距離を示している。)を満たすように、台形トレンチ17の外方へ向かって湾曲する形状に形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
表面および裏面を有し、前記表面側に側壁および底壁を有するトレンチが形成されたワイドバンドギャップ半導体からなる第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の前記表面に接するように形成されたショットキー電極とを含み、
前記トレンチの底壁のエッジ部は、下記式(1)を満たす曲率半径Rを有する、半導体装置。
0.01L<R<10L・・・(1)
(ただし、式(1)において、Lはトレンチの幅方向に沿って対向するエッジ部間の直線距離を示している。)
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104DD24
, 4M104DD26
, 4M104FF01
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104FF27
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH20
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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