半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：磯野道造 , 多田悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-140043
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004466
出願日： 2010年06月21日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：

【課題】確実に高絶縁耐圧化できる半導体装置100を提供する。【解決手段】能動領域12を取り囲むように形成された第1導電型の複数のガードリング3a〜3eと、ガードリング3a〜3eを取り囲むように形成された第2導電型のチャネルストッパ4a、4bとを備え、能動領域12に接合し第1絶縁膜8a上に形成された第1電極5と、複数のガードリング3a〜3e毎に1つずつ接合し第2絶縁膜8b〜8e上に形成された複数の第2電極6a〜6eと、チャネルストッパ4a、4bに接合し第3絶縁膜8f上に形成された第3電極7とを有し、チャネルストッパ4a、4bは、第3電極7に接合し半導体基板1の側方に露出している第2導電型の第1半導体層4aと、第3絶縁膜8fに接し第1半導体層4aの直下に配置され半導体基板1の側方に露出し不純物濃度が第1半導体層4aより低く半導体基板1より高い第2導電型の第2半導体層4bとを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の主表面に形成された能動領域と、前記能動領域を取り囲むように前記一方の主表面に第1導電型の複数のガードリングが形成されたガードリング領域と、前記ガードリング領域を取り囲むように前記一方の主表面に第2導電型のチャネルストッパが形成されたチャネルストッパ領域と、前記能動領域と前記ガードリング領域と前記チャネルストッパ領域に対向して、前記半導体基板の他方の主表面に形成された第1導電型の下面半導体層とを備え、前記能動領域と前記複数のガードリングの内の最内周のガードリングとに跨り前記一方の主表面上に形成された第1絶縁膜と、隣り合う2つの前記ガードリングに跨り前記主表面上に形成された第2絶縁膜と、前記複数のガードリングの内の最外周のガードリングと前記チャネルストッパとに跨り前記一方の主表面上に形成された第3絶縁膜と、前記能動領域に接合し、前記第1絶縁膜上に形成された第1電極と、前記複数のガードリング毎に1つずつ接合し、前記第2絶縁膜上に形成された複数の第2電極と、前記チャネルストッパに接合し、前記第3絶縁膜上に形成された第3電極と、前記下面半導体層に接合する第4電極とを有する半導体装置であって、前記チャネルストッパは、前記一方の主表面に形成され、前記第3電極に接合し、前記半導体基板の側方に露出している第2導電型の第1半導体層と、前記一方の主表面において前記第3絶縁膜に接し、前記第1半導体層の直下に配置され、前記半導体基板の側方に露出し、不純物濃度が前記第1半導体層より低く前記半導体基板より高い第2導電型の第2半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (3件)：

H01L29/78 655F , H01L29/78 652P , H01L29/06 301G

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-195062 出願人：三菱電機株式会社
電力半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-092743 出願人：株式会社日立製作所
特公平1-021633

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