特許
J-GLOBAL ID:201203062766874440
分割方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-011396
公開番号(公開出願番号):特開2012-156168
出願日: 2011年01月21日
公開日(公表日): 2012年08月16日
要約:
【課題】分割すべき領域の内部にレーザー光線を十分に集光させること。【解決手段】改質層形成工程を実行する前に、ワーク1の表面にワーク1に対して吸収性を有するレーザー光線LBを照射してワーク1の表面に存在する凹凸101を除去する。これにより、改質層形成工程を実行する際に、ワーク1の表面に存在する凹凸101によってレーザー光線LBが散乱されることにより、分割すべき領域の内部にレーザー光線LBを十分に集光できなくなることを抑制できる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
ワークの凹凸を有する入射面側からワークの分割予定ラインに沿った位置の内部に集光点を位置付け、ワークに対して透過性を有するレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の後に該改質層に外力を加えてワークを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む分割方法であって、
該改質層形成工程の前に、該入射面にワークに対して吸収性を有するレーザー光線を照射して該凹凸を除去することによって該入射面を平坦化する平坦化工程を含む
ことを特徴とする分割方法。
IPC (5件):
H01L 21/301
, B23K 26/36
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B23K 26/073
FI (7件):
H01L21/78 B
, H01L21/78 V
, H01L21/78 L
, B23K26/36
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B23K26/073
Fターム (5件):
4E068AH00
, 4E068CA02
, 4E068CD05
, 4E068CD08
, 4E068DA10
引用特許:
審査官引用 (8件)
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ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-183824
出願人:株式会社ディスコ
-
半導体ウエーハの分割方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-342229
出願人:株式会社ディスコ
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-322812
出願人:富士通株式会社
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