レーザー照射方法及びレーザー照射装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168912
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072086
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また基板への熱的ダメージを抑えることができるレーザー結晶化法、及び該レーザー結晶化法を用いたレーザー照射装置の提供を課題とする。【解決手段】複数のレーザー発振装置から発振されたレーザー光を合成することで1つのレーザー光を得て、その得られたレーザー光の走査方向においてエネルギー密度が所定の高さに満たない領域をスリットでカットする。上記構成により、走査方向におけるレーザー光のエネルギー密度の平均値を高めることができ、面積あたりのレーザー光の照射時間を抑え、なおかつ被処理物に与えるトータルの熱量を高めることができる。よって、基板が加熱されるのを抑えつつ、半導体膜の結晶性を高めることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数のレーザー発振装置と、前記複数のレーザー発振装置から出力された複数のレーザー光を集光し、基板におけるレーザー光を互いに一部重ね合わせる光学系と、前記重ね合わされたレーザー光の、基板上の移動方向における幅を制限するスリットと、前記基板の位置を制御する位置制御手段と、を有することを特徴とするレーザー照射装置。

IPC (6件)：

H01L21/268 , B23K26/06 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01S3/00

FI (6件)：

H01L21/268 J , H01L21/268 T , B23K26/06 E , H01L21/20 , H01S3/00 B , H01L29/78 627G

Fターム (99件)：

4E068AH01 , 4E068CA01 , 4E068CA04 , 4E068CD02 , 4E068CD05 , 4E068CD10 , 4E068DA10 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BA12 , 5F052BA14 , 5F052BA15 , 5F052BB01 , 5F052BB04 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA09 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB03 , 5F052DB04 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F072AA02 , 5F072AA06 , 5F072AB01 , 5F072JJ20 , 5F072KK12 , 5F072KK30 , 5F072MM07 , 5F072MM08 , 5F072QQ02 , 5F072RR01 , 5F072RR03 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072YY06 , 5F072YY08 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (7件)

レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-335722 出願人：三菱電機株式会社
レーザー光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076813 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-260812

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