特許
J-GLOBAL ID：200903023921242960
多孔質有機誘電体層を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-136335
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336051
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】本発明は、集積回路構造内に配線層を形成する方法を提供する。【解決手段】本発明は、有機絶縁層を形成し、絶縁層をパターン化し、絶縁層上にライナを堆積し、該構造をプラズマに露出してライナに隣接する領域内の絶縁層内に微細孔を形成する。ライナは、ライナに影響を与えることなく、プラズマがライナを貫通し、絶縁層に微細孔を形成できるように、十分薄く形成される。プラズマ処理の間、プラズマはライナに影響を及ぼすことなくライナを貫通する。プラズマ処理の後、付加的なライナを堆積することができる。この後、導体が堆積され、さらに導体の余分な部分は構造から除去される。本方法では、パターン化された構造体を有する有機絶縁層と、パターン化された構造体の裏側を覆うライナと、パターン化された構造体を充填する導体とを有する集積回路構造を形成する。絶縁層はライナに接触する絶縁層の表面領域にそった微細孔を含み、さらに微細孔はライナ(ライナは微細孔の内部に存在しない)に接触する表面領域に沿ってのみ存在する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
a)パターン化された構造体を有する有機絶縁層と、
b)前記パターン化された構造体の裏側を覆うライナと、
c)前記パターン化された構造体を充填する導体と
を含む集積回路構造であって、前記絶縁層は前記ライナに接触する領域にそった微細孔を含む集積回路構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (33件)：
5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ01
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP14
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR12
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR24
, 5F033RR29
, 5F033WW02
, 5F033XX24
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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