特許
J-GLOBAL ID：201203066354949026

半導体ウェハの分割方法及び分割装置

発明者：
清水貴介

清水貴介 について

, 
藤田 隆

藤田 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東京精密

株式会社東京精密 について


代理人 (1件)： 林 孝吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-246546
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119670
出願日： 2011年11月10日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
【課題】小さな曲げ応力で、かつ分割時に綺麗な分割面を得ることができる半導体ウェハの分割方法等を提供する。 【解決手段】表面に機能素子が形成された各チップ間に、改質部ないしは亀裂により分割予定ラインが設けられた半導体ウェハを、該分割予定ラインに沿って破断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウェハの分割方法において、半導体ウェハの裏面に対してエキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付ける工程S1と、弾性保護フィルムを貼り付けた半導体ウェハを可撓性の真空吸着台に吸着する工程S2と、吸着させた半導体ウェハを真空吸着台ごと撓ませて、分割予定ラインを起点として半導体ウェハを破断する工程S3と、破断後、弾性保護フィルムに張力をかけて複数の半導体チップに分割離間する工程S4と、を含むウェハの分割方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを、該分割予定ラインに沿って破断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウェハの分割方法において、 前記半導体ウェハの裏面に対してエキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付ける工程と、 前記弾性保護フィルムを貼り付けた前記半導体ウェハを可撓性の真空吸着台に吸着する工程と、 吸着させた前記半導体ウェハを前記真空吸着台ごと撓ませて、前記分割予定ラインを起点として前記半導体ウェハを破断する工程と、 破断後、前記弾性保護フィルムに張力をかけて前記複数の半導体チップに離間する工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (3件)：
H01L21/78 X ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 N
引用特許：
審査官引用 (6件)
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