特許
J-GLOBAL ID：201203067357142456

半導体装置及び半導体素子

発明者：
ハリッド ハッサン フッセイン

ハリッド ハッサン フッセイン について

, 
斉藤 省二

斉藤 省二 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-106529
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238715
出願日： 2011年05月11日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：
【課題】本発明は、スイッチング損失を低減できる半導体装置及び半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第1ゲートを有し該第1ゲートからの信号でオンオフが制御される第1素子部と、第2ゲートを有し該第2ゲートからの信号でオンオフが制御される第2素子部と、を有する半導体素子と、該第1ゲート及び該第2ゲートに接続され、該半導体素子をターンオンするときは該第1素子部と該第2素子部を同時にターンオンし、該半導体素子をターンオフするときは該第2素子部を該第1素子部よりも遅延してターンオフするように該第1ゲートと該第2ゲートに信号を伝送する信号伝送手段と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1ゲートを有し前記第1ゲートからの信号でオンオフが制御される第1素子部と、第2ゲートを有し前記第2ゲートからの信号でオンオフが制御される第2素子部と、を有する半導体素子と、 前記第1ゲート及び前記第2ゲートに接続され、前記半導体素子をターンオンするときは前記第1素子部と前記第2素子部を同時にターンオンし、前記半導体素子をターンオフするときは前記第2素子部を前記第1素子部よりも遅延してターンオフするように前記第1ゲートと前記第2ゲートに信号を伝送する信号伝送手段と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L29/78 656A ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658H ,  H01L27/08 102E
Fターム (8件)：
5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC07 ,  5F048BA01 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048CB06
引用特許：
審査官引用 (9件)
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