特許
J-GLOBAL ID：201203067541728404

可変式メモリリフレッシュ装置および方法

発明者：
ジェデロー,ジョセフ エム.

ジェデロー,ジョセフ エム. について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-543731
公開番号（公開出願番号）：特表2012-514286
出願日： 2009年12月30日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
所与のメモリ装置の様々な異なる部分に対する特性を監視および調節する等のメモリ装置および方法について説明する。異なる部分の例は、タイル、アレイ、またはダイを含む。本明細書において説明される1つのメモリ装置および方法は、3次元スタックのメモリダイの異なる部分の特性を監視および調節することを含む。複数の選択された部分において調節され得る1つの特性は、リフレッシュ速度を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
スタックされたメモリアレイ内における、いくつかのメモリセルと、 前記いくつかのメモリセルに接続されたロジックと、 前記いくつかのメモリセルの異なる部分をそれぞれのリフレッシュ速度で選択的にリフレッシュするために、前記ロジック領域により使用されるメモリマップと、 を備える、メモリ装置。
IPC (1件)：
G11C 11/406
FI (2件)：
G11C11/34 363L ,  G11C11/34 363K
Fターム (8件)：
5M024AA90 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024EE09 ,  5M024EE24 ,  5M024EE26 ,  5M024KK35 ,  5M024LL11
引用特許：
審査官引用 (7件)
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