特許
J-GLOBAL ID：200903085198265315

半導体装置、そのリフレッシュ方法、メモリシステムおよび電子機器

発明者：
水垣 浩一

水垣 浩一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320978
公開番号（公開出願番号）：特開2002-133861
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 VSRAMのような半導体装置のリフレッシュ方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置1は、メモリセルアレイ20が四つのブロック、すなわち、ブロックA、ブロックB、ブロックC、ブロックDに分割されている。あるブロックにおいて、データの読み出しまたは書き込みが行われている期間中に、残り全ての他のブロックにおいて、リフレッシュが行われる。パワーダウン状態中のリフレッシュ周期をオペレーション状態中のリフレッシュ周期と異ならせ、パワーダウン状態中のリフレッシュ周期を長くしている。
請求項（抜粋）：
複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを有する半導体装置のリフレッシュ方法であって、前記半導体装置が外部アクセス可能な状態にする、第1ステップと、前記半導体装置が外部アクセス可能な状態中、第1リフレッシュ周期により、前記複数のブロックのうち外部アクセスすべきブロック以外のブロックに対してリフレッシュをする、第2ステップと、前記半導体装置が外部アクセス不可能な状態にする、第3ステップと、前記半導体装置が外部アクセス不可能な状態中、前記第1リフレッシュ周期より長い周期である第2リフレッシュ周期により、前記複数のブロックの各々に対してリフレッシュをする、第4ステップと、を備える、半導体装置のリフレッシュ方法。
IPC (3件)：
G11C 11/406 ,  G11C 11/403 ,  G11C 11/401
FI (5件)：
G11C 11/34 363 K ,  G11C 11/34 363 L ,  G11C 11/34 363 M ,  G11C 11/34 371 G ,  G11C 11/34 371 J
Fターム (10件)：
5B024AA01 ,  5B024BA20 ,  5B024BA21 ,  5B024BA23 ,  5B024BA27 ,  5B024CA16 ,  5B024DA08 ,  5B024DA10 ,  5B024DA14 ,  5B024DA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (15件)
  • DRAMの基板電圧発生装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-252900   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平2-246088
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-159944   出願人：株式会社日立製作所
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