特許
J-GLOBAL ID：201203071504207280

レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法

発明者：
小澤 美和

小澤 美和 について

, 
野崎 耕司

野崎 耕司 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-047718
公開番号（公開出願番号）：特開2012-141564
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：
【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのLWRを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物、及び下記一般式(2)で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される化合物、及び下記一般式(2)で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有することを特徴とするレジストパターン改善化材料。
IPC (3件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A
Fターム (19件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004DB08 ,  5F004DB23 ,  5F004EA05 ,  5F004EA10 ,  5F004EB03 ,  5F046LA18 ,  5F146LA18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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