特許
J-GLOBAL ID:201203072792207350
多孔質絶縁膜及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
飯田 敏三
, 宮前 尚祐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-290695
公開番号(公開出願番号):特開2012-138503
出願日: 2010年12月27日
公開日(公表日): 2012年07月19日
要約:
【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】(1)シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程(2)該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程(3)充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(1)シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程
(2)該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程
(3)充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程
を経ることを特徴とする、多孔質絶縁膜の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/312
, C23C 16/42
, C23C 16/56
, H01L 23/532
, H01L 21/768
FI (5件):
H01L21/312 C
, C23C16/42
, C23C16/56
, H01L21/90 N
, H01L21/90 S
Fターム (30件):
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030AA16
, 4K030BA36
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030DA08
, 4K030FA01
, 4K030LA15
, 5F033MM02
, 5F033QQ25
, 5F033QQ27
, 5F033QQ48
, 5F033QQ54
, 5F033QQ74
, 5F033RR01
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS21
, 5F033WW00
, 5F033XX24
, 5F033XX27
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF02
, 5F058AG10
引用特許:
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