特許
J-GLOBAL ID：201203074968168554
超伝導バルク体とその製造方法および超伝導バルク磁石
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-080348
公開番号（公開出願番号）：特開2012-214329
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】磁場強度が高い超伝導バルク磁石を提供すること。【解決手段】種結晶溶融法で合成した円柱状合成結晶(11)の上部(12)と下部(13)を除去して得た円柱状合成結晶中央部(14)を含む超伝導バルク体を作製し、それに磁場を捕捉させることにより超伝導バルク磁石を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
RE-Ba-Cu-O系円柱状結晶片を含む超伝導バルク体であって、
前記REは、Y,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,およびLuからなる群より選択される1種類または2種類以上の元素を表し、
前記RE-Ba-Cu-O系円柱状結晶片の上面と下面が下記の式(1)および式(2)を満たす、超伝導バルク体。
式(1): 0.93 ≦ X ≦ 1.07
(上式においてXは、超伝導相の組成式RExBa2Cu3Oy(yは6.8〜7.0)におけるX値を表す。)
式(2): θc ≦ 6°
(上式において、θcは上面または下面で観測される結晶の主軸のうちc軸に最も近いものとc軸とのなす角度を表し、前記領域に結晶の主軸が観測されない場合は式(2)を満たさないものとする。)
IPC (3件)：
C01G 3/00
, C01G 1/00
, H01F 6/06
C01G3/00
, C01G1/00 S
, H01F5/08 B
4G047JA02
, 4G047JC02
, 4G047KB04
, 4G047KB17
