特許
J-GLOBAL ID：201203077121693031

半導体デバイス上に共形酸化物層を形成するための方法

発明者：
ジャンドラ, アグス エス.

ジャンドラ, アグス エス. について

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オルセン, クリストファー エス.

オルセン, クリストファー エス. について

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スウェンバーグ, ヨハネス エフ.

スウェンバーグ, ヨハネス エフ. について

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横田 好隆

横田 好隆 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-548286
公開番号（公開出願番号）：特表2012-516577
出願日： 2010年01月28日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：
半導体基板上に酸化物層を形成するための方法及び装置を開示する。1つ又は複数の実施形態では、半導体基板の温度を約100°C未満に制御することによって、プラズマ酸化を使用して、共形酸化物層を形成することができる。1つ又は複数の実施形態による半導体基板の温度を制御するための方法は、静電チャックならびに冷却剤及びガス対流を利用することを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の酸化物層を加工処理する方法であって、 イオン発生領域を有するプラズマ反応チャンバ内の基板支持部上に酸化すべき基板を置くこと、 前記チャンバ中にプロセスガスを導入すること、及び 約-50°C〜100°Cの範囲内の温度で前記基板を積極的に冷却しながら、水平表面厚さ及び側壁厚さを有する酸化物層を前記基板上に形成するために、前記プラズマ反応チャンバの前記イオン発生領域内にプラズマを発生させること を含む方法。
IPC (8件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76
FI (5件)：
H01L21/31 E ,  H01L21/316 A ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/76 L
Fターム (70件)：
5F032AA34 ,  5F032AA39 ,  5F032AA45 ,  5F032AA48 ,  5F032DA53 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD03 ,  5F045AD04 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH12 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK07 ,  5F045EK22 ,  5F045EK26 ,  5F045EM05 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BG03 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD29 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03 ,  5F101BH05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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